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这样的领先，让星火科技的碳纳米管芯片开发者，也没有想到。
此前他们推出的第一代碳纳米管芯片的时候，因为急着推出产品。
所以在碳纳米管管线的布置这一块，选择略显草率，并没有仔细研究芯片搭建的步骤。
可即便如此，他们的第一代28纳米制程的碳纳米管芯片，已经在性能方面碾压所有同级竞争对手了。
而在后来，因为受制于一些生产设备，和生产材料。
比如光刻机，比如光刻胶等等，所以他们也并没有急于像下一代碳纳米管芯片进发。
就是在28纳米碳纳米管芯片这一块，不断反复耕耘，深度挖潜。
可谁都没想到，竟然挖掘出这么大的潜能。
以前在硅基芯片时代，科学家们之所以不断要缩小芯片的制程。
比如三到五年，就要把芯片制程缩小几纳米。
其实就是为了在特定的空间里，堆积下更多的晶体管。
因为布置的晶体管越多，那么你运算的速度就越快。
但随着制程越来越小，按照摩尔定律，这硅基芯片的潜能也就被逼近了极限。
就比如现在主流的5纳米制程的硅基芯片，虽然据说运算性能比上一代7纳米制程的芯片要提升了百分之二十，功耗也小了百分之二十。
可实际上呢！
现在市面上主流的使用5纳米制程芯片的手机，实际使用感受，其实都不怎么样？
尤其是在发热控制这一块，不管是高通，还是水果，都做的不怎么好。
使用5纳米制程的骁龙888，和水果A14芯片，如果打游戏的话，使用一两个小时时候，都会发烫。
并且疯狂的耗电。
这其实就说明，5纳米制程硅基芯片的工艺还不是很成熟。
还可以在改进，深度挖潜。
但因为竞争激烈，芯片设计和制造商们，根本就停不下来。
他们不愿意停在5纳米制程这一块挖潜，因为在他们看来，与其在这里花钱。
还不如直接跳到下一代的3纳米制程生产工艺上。
毕竟这个世界，就是看谁先突破的。
如果谁率先掌握了3纳米制程工艺，谁就能